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DIN EN 62373-2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

作者:标准资料网 时间:2024-05-18 15:59:53  浏览:9758   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:Bias-temperaturestabilitytestformetal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET)(IEC62373:2006);GermanversionEN62373:2006
【原文标准名称】:金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
【标准号】:DINEN62373-2007
【标准状态】:现行
【国别】:德国
【发布日期】:2007-01
【实施或试行日期】:2007-01-01
【发布单位】:德国标准化学会(DIN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:检验设备;元部件;定义;电气工程;电子工程;电子设备及元件;场效应晶体管;极限(数学);测量设备;MOSFET;额定值;半导体器件;稳定性;温度应力;试验;试验装置;热应力;晶体管
【英文主题词】:
【摘要】:ThisInternationalStandardprovidesatestprocedureforabias-temperature(BT)stabilitytestofmetal-oxidesemiconductor,field-effecttransistors(MOSFET).#,,#
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:14P.;A4
【正文语种】:德语


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基本信息
标准名称:铸造化铁炉酸性炉渣化学分析方法 磷钒钼黄甲基异丁基甲酮萃取光度法测定五氧化二磷量
英文名称:Chemical analysis methods for acid slay of cupola - Determination of phosphorus pentoxide by extraction ketone
中标分类: 机械 >> 加工工艺 >> 铸造
ICS分类: 冶金 >> 铁合金
替代情况:JB/Z 284.9-87
发布日期:1999-06-24
实施日期:2000-06-24
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
归口单位:全国铸造标准化技术委员会
出版日期:1900-01-01
页数:4 页
批文号:国机管[1999]353号
适用范围

JB/T 9220.9-1999

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所属分类: 机械 加工工艺 铸造 冶金 铁合金
【英文标准名称】:StandardGuideforBackgroundSubtractionTechniquesinAugerElectronSpectroscopyandX-rayPhotoelectronSpectroscopy
【原文标准名称】:螺旋电子光谱法和X射线光电光谱法中减去背景技术的标准指南
【标准号】:ASTME995-2004
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2004
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:金属;光学;精整;原子吸收分光光度测定法;心土;光谱学;表面;螺旋电子光谱法
【英文主题词】:finishes;atomicabsorptionspectroscopy;surfaces;augerelectronspectroscopy;spectroscopy;metals;subsoil;optics
【摘要】:
【中国标准分类号】:H26
【国际标准分类号】:17_180_30
【页数】:4P;A4
【正文语种】:英语